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熱搜關(guān)鍵詞:
在光伏微型逆變器與便攜式儲能系統(tǒng)中,傳統(tǒng)兩級拓撲(DC/DC + DC/AC)雖技術(shù)成熟,但存在效率瓶頸(通常≤96%)、元件數(shù)量多、體積大等問題。德州儀器推出的TIDA-010954參考設(shè)計采用基于GaN的單級cyclo轉(zhuǎn)換器架構(gòu),實現(xiàn)了更高效率、更高功率密度與更低系統(tǒng)成本。
典型的兩級微型逆變器先通過反激或推挽式DC/DC升壓至400VDC中間總線,再經(jīng)全橋逆變輸出交流電。該結(jié)構(gòu)需使用10–12個高壓開關(guān)器件,且整流級常采用二極管,導(dǎo)致導(dǎo)通損耗高。此外,低頻(<100kHz)工作限制了磁性元件的小型化。
cyclo轉(zhuǎn)換器直接將直流輸入合成為交流輸出,無需中間直流鏈路。TIDA-010954采用“直流側(cè)全橋 + 交流側(cè)半橋”結(jié)構(gòu)(如圖3所示),通過變壓器實現(xiàn)電氣隔離。其本質(zhì)是一個相移控制的雙有源電橋(DAB),但次級側(cè)電壓隨電網(wǎng)正弦波動態(tài)變化。
正半周:S1B、S2B常通,S1A/S2A互補PWM,初級電壓VP超前次級VS實現(xiàn)能量傳輸;
負半周:S1A、S2A常通,S1B/S2B調(diào)制,VP滯后VS完成反向功率傳輸。
設(shè)計選用TI的GaN FET以支持高頻軟開關(guān)運行:
初級側(cè):LMG2100R026(100V, 2.6mΩ)半橋,低RDS(on)減少導(dǎo)通損耗;
次級側(cè):LMG3650R035(650V, 35mΩ)集成驅(qū)動器,降低布局復(fù)雜度。
GaN的低COSS和關(guān)斷損耗擴展了零電壓開關(guān)(ZVS)范圍,使轉(zhuǎn)換器可在300–600kHz高頻下運行,顯著減小變壓器和濾波電感體積。
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為應(yīng)對交流側(cè)電壓周期性變化帶來的軟開關(guān)挑戰(zhàn),設(shè)計采用兩種模式:
模式II(大功率,靠近交流峰值):固定相移,確保ZVS;
模式III(輕載/過零點):脈沖內(nèi)嵌控制,降低變壓器RMS電流與傳導(dǎo)損耗。
控制算法在TMS320F28P550(150MHz)上運行,20kHz中斷服務(wù)例程MCU占用率<40%,得益于其可配置邏輯塊(CLB)硬件加速PWM同步更新。
實測顯示:
峰值效率達97%,ηCEC ≈ 96.4%,ηEuro ≈ 95.4%;
600W滿載THD僅2.6%,優(yōu)于并網(wǎng)標準;
功率密度約600W/L,為傳統(tǒng)兩級方案的兩倍。
成本方面,盡管GaN器件單價較高,但磁性元件體積大幅縮減(高頻運行)、EMI濾波器簡化、開關(guān)總數(shù)減少,整體BOM成本降低約12%(以推挽式為基準)。