英飛凌推出的CoolSiC? 2000V SiC溝槽柵MOSFET系列，面向光伏、儲能及高功率充電器（1500 VDC）等高壓應用，旨在提升系統(tǒng)功率密度、效率與可靠性。該系列產品涵蓋單管、62mm半橋模塊及EasyPACK? 3B升壓模塊，均基于相同的2000V SiC芯片技術，實現(xiàn)平臺化設計，簡化系統(tǒng)開發(fā)。來自全球授權的英飛凌代理商、原廠貨源-深圳市中芯巨能電子有限公司為您介紹CoolSiC? 2000V SiC溝槽柵MOSFET系列產品特點及可選型號。

TO-247PLUS-4-HCC單管封裝：增強絕緣與熱性能

單管產品采用新型TO-247PLUS-4-HCC封裝，專為高壓環(huán)境優(yōu)化。其關鍵特性包括：

電氣間隙5.5 mm，爬電距離14 mm，顯著降低高頻高壓下的局部放電風險，適用于1500 VDC系統(tǒng)。

兼容標準TO-247-4引腳布局，支持Kelvin源極連接，減小門極回路雜散電感，抑制開關振蕩。

集成**.XT焊接芯片技術**，通過擴散焊工藝降低芯片-管殼熱阻（Rthjc），相比傳統(tǒng)焊料焊接最高可降低25%，提升熱循環(huán)可靠性。

該系列RDS(on)覆蓋12–100 mΩ，配套二極管電流等級為10–80 A。評估板EVAL-CoolSiC?-2kVHCC支持雙脈沖與PWM測試，驗證器件在1200V/50A下的開關性能。實測門極波形無超調，振蕩源于PCB寄生參數(shù)，表明器件具備優(yōu)異的開關穩(wěn)定性。

 2000V CoolSiC? MOSFET和Diode產品列表如下：

62mm半橋模塊：支持兩電平與NPC2三電平拓撲

基于相同芯片技術的62mm CoolSiC? 2000V半橋模塊，采用成熟封裝平臺，支持M1H芯片布局。其優(yōu)勢在于：

支持兩電平與NPC2三電平拓撲，替代傳統(tǒng)NPC1/ANPC方案。

在1500 VDC光伏與儲能系統(tǒng)中，NPC2拓撲可降低器件電壓應力，簡化驅動設計。

共源極版本適用于共模噪聲敏感場景。

該模塊適用于高功率密度逆變器設計，支持更高開關頻率，減少無源元件體積。

2000V CoolSiC? MOSFET 62mm模塊產品列表：

EasyPACK? 3B升壓模塊：簡化拓撲，提升功率密度

傳統(tǒng)組串式逆變器常采用飛跨電容或雙升壓拓撲以分擔電壓應力。而2000V CoolSiC? MOSFET的引入，使得兩電平全SiC升壓拓撲成為可能。

DF4-19MR20W3M1HF_B11模塊采用EasyPACK? 3B封裝，集成4路升壓通道，每路可并聯(lián)至120A。其特點包括：

對稱布局與低雜感設計，降低EMI與電壓過沖。

相比傳統(tǒng)雙升壓方案，芯片面積減少70%，顯著提升功率密度。

支持更高開關頻率，減小電感體積與系統(tǒng)尺寸。

效率測試表明，在輕載條件下，全SiC兩電平方案效率提升達1%，全負載范圍內平均提升約0.5%。關斷波形顯示，2000V SiC MOSFET具有更高的關斷電壓平臺，但無明顯振蕩，系統(tǒng)更穩(wěn)定。

2000V CoolSiC? MOSFET Easy模塊產品列表

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