8 月 26 日上午，elexcon 展會期間，2025 年度半導(dǎo)體市場創(chuàng)新表現(xiàn)獎獲獎名單正式揭曉。英飛凌憑借技術(shù)創(chuàng)新實力，一舉斬獲三項重要獎項：第二代 CoolSiC? MOSFET G2 1400V 分立器件與 1200V Easy C 系列碳化硅模塊獲 “年度優(yōu)秀功率器件產(chǎn)品獎”，PSOC? Edge 微控制器摘得 “年度優(yōu)秀 AI 芯片獎”，其汽車業(yè)務(wù)亦榮獲 “汽車電子應(yīng)用先鋒獎”。

此次獎項由 elexcon 展會主辦方聯(lián)合電子發(fā)燒友網(wǎng)等行業(yè)權(quán)威媒體共同評選，旨在表彰雙線技術(shù)創(chuàng)新與供應(yīng)鏈服務(wù)突出的企業(yè)。英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場總監(jiān)王丹、消費計算與通訊業(yè)務(wù)高級產(chǎn)品經(jīng)理黃熘，以及汽車業(yè)務(wù)大中華區(qū)高級現(xiàn)場應(yīng)用工程師趙蘇晉分別代表公司領(lǐng)獎，彰顯企業(yè)在多領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力。

在功率器件領(lǐng)域，英飛凌獲獎產(chǎn)品亮點顯著。1400V CoolSiC? MOSFET G2 系列采用 TO-247 及 TO-247 Plus Reflow 封裝，針對高母線電壓應(yīng)用優(yōu)化，可適配母線電壓超 1000V 場景；2mm 加粗功率管腳提升電流承載能力，背板回流焊設(shè)計增強可靠性，為高壓電力電子系統(tǒng)提供穩(wěn)定支撐。1200V CoolSiC? MOSFET G2 Easy C 系列碳化硅模塊則以業(yè)內(nèi)首發(fā)的全新封裝引發(fā)關(guān)注，依托先進 G2 芯片技術(shù)，實現(xiàn) RDS (on)*A 降低 25%、輸出功率提升約 30%，效率達(dá)行業(yè)頂尖水平。

AI 芯片領(lǐng)域，PSOC? Edge 微控制器憑借硬件機器學(xué)習(xí)加速功能脫穎而出。該產(chǎn)品專為下一代邊緣 AI 與控制設(shè)計，搭載多域異構(gòu)架構(gòu)：400MHz Arm? Cortex?-M55 內(nèi)核搭配 Helium? DSP、128MACs 算力的 Arm? Ethos?-U55 NPU，提升 AI 任務(wù)效率；低功耗場景下，200MHz Cortex?-M33 與超低功耗 NNLite 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器協(xié)同，適配 “始終在線” 的邊緣 AI 需求。同時，2.5D GPU 圖形加速器可打造智能手機級交互界面，嵌入式 Edge Protect 技術(shù)保障隱私安全，廣泛適用于運動手表、AI 眼鏡等智能終端。

汽車電子領(lǐng)域，英飛凌憑借汽車級 MCU 與 IGBT 功率半導(dǎo)體獲 “汽車電子應(yīng)用先鋒獎”。其汽車級 MCU 具備高性能架構(gòu)與 ASIL-D 功能安全認(rèn)證，賦能輔助駕駛、智能座艙；IGBT 功率半導(dǎo)體可提升電動汽車效率，助力綠色出行。目前，英飛凌汽車電子產(chǎn)品覆蓋 50 余家主流車企，MCU 全球市場份額第一，通過完善工具鏈與本土化戰(zhàn)略，推動軟件定義汽車發(fā)展。

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