在 2025 年半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)新表現(xiàn)評(píng)選中，英飛凌科技憑借兩款突破性碳化硅器件 —— 第二代 CoolSiC? MOSFET G2 1400V 分立器件與 1200V Easy C 系列模塊，成功斬獲 “年度優(yōu)秀功率器件產(chǎn)品獎(jiǎng)”。英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)總監(jiān)王丹現(xiàn)場(chǎng)領(lǐng)獎(jiǎng)，這一榮譽(yù)印證了其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力。

聚焦高母線電壓應(yīng)用需求，1400V CoolSiC? MOSFET G2 系列通過(guò)兩項(xiàng)關(guān)鍵設(shè)計(jì)升級(jí)實(shí)現(xiàn)性能躍升：一是將功率管腳規(guī)格提升至 2mm，大幅強(qiáng)化電流承載能力，輕松應(yīng)對(duì)母線電壓超 1000V 的嚴(yán)苛工況；二是引入背板回流焊工藝，顯著增強(qiáng)器件長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性，為風(fēng)電、光伏等高壓電力電子系統(tǒng)提供穩(wěn)定保障。目前該系列已推出 TO-247、TO-247 Plus Reflow 兩種封裝，其導(dǎo)通電阻（Rdson）最低僅 6 毫歐，參數(shù)指標(biāo)處于行業(yè)前列。

另一款獲獎(jiǎng)產(chǎn)品 1200V CoolSiC? MOSFET G2 Easy C 系列模塊，憑借多維度創(chuàng)新成為行業(yè)焦點(diǎn)。芯片端采用新一代 G2 技術(shù)，使 RDS (on)*A 乘積降低 25%，輸出功率提升近 30%，能效表現(xiàn)達(dá)到行業(yè)頂尖水平；材料層面選用耐高溫創(chuàng)新材質(zhì)，不僅支持 175°C 常規(guī)工作溫度，即便在 200°C 過(guò)載環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行；引腳設(shè)計(jì)上，全新 PressFIT 結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)電流承載能力翻倍，既降低 PCB 工作溫度，又簡(jiǎn)化安裝流程，同時(shí)提供兩種 Pin 腳連接方案，適配不同應(yīng)用場(chǎng)景需求。

英飛凌這兩款獲獎(jiǎng)器件，在高壓適配能力、能效提升及可靠性優(yōu)化上的突破，為電力電子領(lǐng)域提供了更高效的解決方案，未來(lái)有望進(jìn)一步推動(dòng)新能源發(fā)電、工業(yè)電機(jī)控制等領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)品迭代。

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