英飛凌（Infineon） 近日宣布擴展其 CoolSiC? 650 V G2 系列 MOSFET，新增 75 mΩ 規(guī)格型號，進一步滿足市場對高功率密度、小型化電源系統(tǒng)的需求。此次擴展不僅增強了產(chǎn)品組合的靈活性，也為中高功率應用提供了更優(yōu)的能效與熱管理解決方案。

第二代技術(shù)升級，性能全面提升

CoolSiC? 650 V G2 系列基于英飛凌第二代碳化硅（SiC）技術(shù)打造，相較前代產(chǎn)品在多個關(guān)鍵指標上實現(xiàn)優(yōu)化：

更低的品質(zhì)因數(shù)（FOM）：提升開關(guān)效率，降低導通與開關(guān)損耗；

更高的可靠性：增強器件在高溫、高壓工況下的長期穩(wěn)定性；

更好的易用性：優(yōu)化柵極驅(qū)動兼容性，降低系統(tǒng)設計門檻。

該系列特別適用于開關(guān)模式電源（SMPS），廣泛應用于 AI服務器電源、可再生能源系統(tǒng)、電動汽車及充電樁、人形機器人充電系統(tǒng)、電視電源和工業(yè)驅(qū)動等高要求場景。

多封裝支持，靈活適配散熱架構(gòu)

新推出的75 mΩ型號提供 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3 和 TO247-4 六種封裝選擇，支持頂部冷卻（Top-Side Cooling, TSC） 與底部冷卻（Bottom-Side Cooling, BSC） 兩種主流散熱方案，為系統(tǒng)設計提供高度靈活性。

TOLL 與 ThinTOLL 8x8：具備優(yōu)異的PCB熱循環(huán)穩(wěn)定性，適用于緊湊型設計。其低熱阻特性有助于減少PCB空間占用，并在系統(tǒng)層面降低制造成本，特別適合高密度服務器電源和消費類電源應用。

TOLT 封裝：作為英飛凌TSC產(chǎn)品組合的重要補充，TOLT支持直接頂部散熱，散熱效率高達 95%。該設計允許充分利用PCB正反兩面布線，提升空間利用率，同時減少功率回路中的寄生電感，改善EMI性能。

目前，英飛凌的TSC產(chǎn)品線已覆蓋 CoolMOS? 8、CoolSiC?、CoolGaN? 和 OptiMOS? 等多個技術(shù)平臺，形成完整的高功率密度解決方案生態(tài)。

面向未來應用，賦能高增長領(lǐng)域

隨著AI服務器、電動汽車和機器人等新興市場的快速發(fā)展，對高效、小型化電源系統(tǒng)的需求持續(xù)攀升。CoolSiC? 650 V G2 系列憑借其低損耗、高頻率工作能力與優(yōu)異的熱性能，成為構(gòu)建下一代電源架構(gòu)的理想選擇。

在 AI服務器電源 中，可支持更高功率密度的LLC或圖騰柱PFC拓撲，提升能效；

在 電動汽車充電樁 中，有助于縮小系統(tǒng)體積，提升充電效率；

在 人形機器人充電系統(tǒng) 中，支持高效率、輕量化設計，延長續(xù)航與待機時間。

供貨信息

目前，CoolSiC? 650 V G2 系列 75 mΩ MOSFET 已正式量產(chǎn)并全面供貨，支持上述所有封裝類型，滿足從研發(fā)驗證到大規(guī)模量產(chǎn)的全周期需求。

總結(jié)

英飛凌通過此次產(chǎn)品擴展，進一步鞏固了其在碳化硅功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。CoolSiC? 650 V G2 系列不僅在性能上實現(xiàn)突破，更通過多封裝、雙冷卻架構(gòu)的設計理念，為工程師提供了前所未有的設計自由度。隨著碳化硅技術(shù)在高增長領(lǐng)域的加速滲透，該系列產(chǎn)品將成為推動電源系統(tǒng)向“更小、更快、更高效”演進的關(guān)鍵驅(qū)動力。

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