現(xiàn)貨庫(kù)存,2小時(shí)發(fā)貨,提供寄樣和解決方案
熱搜關(guān)鍵詞:
在今日的技術(shù)創(chuàng)新浪潮中,Littelfuse推出了其最新的高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片——IXD2012NTR,標(biāo)志著向更加高效、緊湊的電源管理解決方案邁進(jìn)的重要一步。這款專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)半橋配置中的N溝道MOSFET或IGBT設(shè)計(jì)的產(chǎn)品,不僅優(yōu)化了高頻電源應(yīng)用的操作體驗(yàn),還顯著提升了設(shè)計(jì)靈活性。
IXD2012NTR能夠在10V至20V的廣泛電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,并支持高達(dá)200V的高壓側(cè)開(kāi)關(guān)操作。該器件的邏輯輸入兼容低至3.3V的標(biāo)準(zhǔn)TTL和CMOS電平,確保與多種控制設(shè)備無(wú)縫集成,簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)過(guò)程。IXD2012NTR提供1.9A拉電流和2.3A灌電流輸出能力,使其成為高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇,極大地提高了系統(tǒng)的響應(yīng)速度和效率。
值得一提的是,IXD2012NTR內(nèi)置交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)邏輯,有效避免了高壓側(cè)和低壓側(cè)輸出的同時(shí)開(kāi)啟,降低了功率損耗并簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。此外,采用緊湊型SOIC(N)-8封裝的IXD2012NTR可在-40℃到+125℃的工作溫度范圍內(nèi)提供可靠性能,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件下的應(yīng)用需求。
Littelfuse半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部集成電路事業(yè)部產(chǎn)品經(jīng)理June Zhang表示:“IXD2012NTR作為我們產(chǎn)品組合中的新成員,能夠直接替代市場(chǎng)上常用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)備,為客戶(hù)提供了可靠的替代方案,滿(mǎn)足嚴(yán)格的生產(chǎn)計(jì)劃,同時(shí)展現(xiàn)出卓越的高速性能。”
IXD2012NTR的推出進(jìn)一步豐富了Littelfuse的高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器系列,適用于包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、交流-直流逆變器、電機(jī)控制器以及D類(lèi)功率放大器在內(nèi)的多種高頻應(yīng)用。不僅如此,這款驅(qū)動(dòng)器還覆蓋了多個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域,如一般工業(yè)和電氣設(shè)備、家用電器、樓宇解決方案、儲(chǔ)能、太陽(yáng)能及電動(dòng)工具等,展示了其廣泛的適用性和市場(chǎng)潛力。
IXD2012NTR憑借其出色的性能、靈活性和可靠性,為工程師和技術(shù)人員提供了新的可能性,推動(dòng)著電源管理技術(shù)的發(fā)展,同時(shí)也預(yù)示著未來(lái)更多創(chuàng)新產(chǎn)品的到來(lái)。對(duì)于追求高性能電源解決方案的企業(yè)而言,IXD2012NTR無(wú)疑是一個(gè)不可忽視的選擇。如需IXD2012NTR產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求,請(qǐng)加客服微信:13310830171。