在當(dāng)前電力電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管因其卓越的開(kāi)關(guān)性能和低損耗特性，正逐漸成為高壓大功率應(yīng)用的理想選擇。然而，GaN器件的應(yīng)用并非毫無(wú)挑戰(zhàn)，特別是對(duì)于增強(qiáng)型GaN（E-mode GaN），其較低的導(dǎo)通閾值電壓要求更加精確且穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。針對(duì)這一需求，納芯微推出了專門設(shè)計(jì)用于E-mode GaN的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片——NSD2622N。代理銷售納芯微旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹NSD2622產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。如需NSD2622N產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。

應(yīng)對(duì)E-mode GaN的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

盡管GaN HEMT在提高電源系統(tǒng)效率方面表現(xiàn)出色，但實(shí)際部署時(shí)卻面臨諸多技術(shù)難題。特別是在高電壓、大電流環(huán)境下，若驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)不當(dāng)，極易導(dǎo)致誤導(dǎo)通現(xiàn)象，嚴(yán)重影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。傳統(tǒng)的解決方案包括使用集成驅(qū)動(dòng)IC的GaN功率芯片或采用復(fù)雜的外部驅(qū)動(dòng)電路，但這兩種方法要么缺乏靈活性，要么增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度和成本。

NSD2622N正是為了解決這些問(wèn)題而生。它集成了正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，并支持自舉供電，能夠提供穩(wěn)定可靠的驅(qū)動(dòng)電壓，顯著簡(jiǎn)化了GaN驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)過(guò)程，同時(shí)提高了整體系統(tǒng)的可靠性與經(jīng)濟(jì)性。

產(chǎn)品特性詳解

NSD2622N是一款高度集成化的驅(qū)動(dòng)芯片，專為E-mode GaN量身定制：

集成穩(wěn)壓電路：內(nèi)置可配置的5V至6.5V正壓輸出以及固定的-2.5V負(fù)壓輸出，確保了對(duì)GaN器件的有效控制。

強(qiáng)大的抗擾能力：具備超過(guò)200V/ns的dv/dt抑制能力和高達(dá)700V的SW耐壓范圍，適應(yīng)苛刻的工作環(huán)境。

高效的驅(qū)動(dòng)能力：提供2A/-4A峰值驅(qū)動(dòng)電流，滿足高速開(kāi)關(guān)需求。

靈活的供電方式：支持自舉供電模式，減少了對(duì)外部電源的需求，降低了系統(tǒng)復(fù)雜度。

全面保護(hù)機(jī)制：包含欠壓鎖定（UVLO）、過(guò)溫保護(hù)等功能，增強(qiáng)了系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

相比于傳統(tǒng)的Si MOSFET驅(qū)動(dòng)方案，NSD2622N提供了更為穩(wěn)健的驅(qū)動(dòng)電壓管理，解決了E-mode GaN常見(jiàn)的誤導(dǎo)通問(wèn)題。通過(guò)內(nèi)置的正負(fù)穩(wěn)壓電源，該芯片能夠在各種工況下維持穩(wěn)定的關(guān)斷負(fù)壓，避免了因電容放電不穩(wěn)定而導(dǎo)致的潛在風(fēng)險(xiǎn)。

此外，NSD2622N還大幅簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)，減少了所需元件數(shù)量，從而有效降低了系統(tǒng)成本。例如，在3kW PSU應(yīng)用場(chǎng)景中，采用NSD2622N可以省去復(fù)雜的隔離輔助電源設(shè)計(jì)，直接利用自舉供電實(shí)現(xiàn)高效能驅(qū)動(dòng)。

結(jié)論

隨著電力電子行業(yè)對(duì)更高效率和更小體積的需求不斷增長(zhǎng)，GaN技術(shù)的應(yīng)用前景廣闊。然而，如何有效地驅(qū)動(dòng)這些高性能器件是一個(gè)亟待解決的問(wèn)題。納芯微推出的NSD2622N不僅解決了這一難題，還為工程師們提供了一個(gè)簡(jiǎn)單、可靠且經(jīng)濟(jì)的選擇。無(wú)論是數(shù)據(jù)中心電源、車載充電機(jī)還是其他高壓大功率應(yīng)用，NSD2622N都能發(fā)揮重要作用，助力推動(dòng)GaN技術(shù)的廣泛應(yīng)用和發(fā)展。