新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)基于其特有的溝槽型工藝平臺，推出了耐壓30V、導(dǎo)通電阻低至1mΩ級別的增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品。具體型號包括NCE011N30GU、NCE012N30GU、NCE018NV30GU和NCE020NV3QU。這些產(chǎn)品在高電流密度、超低導(dǎo)通阻抗及高可靠性方面表現(xiàn)出色，為市場提供了經(jīng)濟(jì)高效的產(chǎn)品解決方案。

產(chǎn)品優(yōu)勢與技術(shù)特點(diǎn)

超高元胞密度與小線寬設(shè)計(jì)

新潔能的溝槽型工藝平臺采用了超高元胞密度和小線寬設(shè)計(jì)，顯著提升了器件的性能。以NCE011N30GU為例，該型號的導(dǎo)通電阻典型值低至0.75mΩ，持續(xù)電流ID高達(dá)325A。這種參數(shù)表現(xiàn)不僅展示了溝槽型芯片設(shè)計(jì)的技術(shù)實(shí)力，還證明了優(yōu)化后的大電流產(chǎn)品封裝工藝的有效性。

高電流密度與抗雪崩擊穿能力

該系列產(chǎn)品具有超高電流密度和卓越的抗雪崩擊穿能力。所有器件均通過了100%的雪崩測試，確保了產(chǎn)品的魯棒性和高可靠性。例如，NCE011N30GU不僅具備極低的導(dǎo)通電阻，還能承受極端條件下的高電流負(fù)載，適用于需要高可靠性的應(yīng)用場景。

封裝工藝與散熱性能

新潔能優(yōu)化了大電流產(chǎn)品的封裝工藝，提高了器件的散熱性能。這使得MOSFET在高功率應(yīng)用中能夠保持較低的工作溫度，延長使用壽命并提高系統(tǒng)整體效率。此外，優(yōu)化后的封裝設(shè)計(jì)還減少了寄生電感和電容的影響，進(jìn)一步提升了器件的性能表現(xiàn)。

詳細(xì)產(chǎn)品特性

高功電流密度：系列產(chǎn)品具備極高的電流密度，能夠在緊湊的空間內(nèi)提供強(qiáng)大的電流輸出能力。

超低導(dǎo)通阻抗：導(dǎo)通電阻低至0.75mΩ（以NCE011N30GU為例），有效降低了導(dǎo)通損耗，提高了系統(tǒng)效率。

高散熱性能：優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)增強(qiáng)了散熱性能，確保器件在高負(fù)荷條件下穩(wěn)定運(yùn)行。

高可靠性：所有產(chǎn)品均通過嚴(yán)格的可靠性測試，包括100%雪崩測試，確保在惡劣環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。

如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。