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STDRIVEG210/211:面向GaN應(yīng)用的高集成半橋驅(qū)動器 附引腳圖及原理圖

來源:意法半導(dǎo)體代理授權(quán)、原廠貨源-中芯巨能| 發(fā)布日期:2025-11-02 12:00:01 瀏覽量:

STDRIVEG210與STDRIVEG211是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)專為氮化鎵(GaN)功率器件優(yōu)化的半橋柵極驅(qū)動器,適用于母線電壓高達220 V的工業(yè)、電信及高電壓電池系統(tǒng)(如72 V電池組或110 V AC整流后系統(tǒng))。兩款器件在架構(gòu)上高度集成,兼具高速開關(guān)能力、強抗干擾性與多重保護機制,為GaN在硬開關(guān)與諧振拓撲中的可靠應(yīng)用提供關(guān)鍵支撐。

STDRIVEG210/211

核心架構(gòu)與驅(qū)動性能

兩款驅(qū)動器均集成片上6 V線性穩(wěn)壓器,為上下橋臂MOSFET/GaN提供穩(wěn)定柵極驅(qū)動電壓。其拉電流與灌電流路徑獨立設(shè)計(拉電流2.4 A,灌電流1.0 A),允許分別優(yōu)化開通與關(guān)斷速度,從而精準(zhǔn)控制dV/dt,抑制EMI并避免過沖。上下橋臂驅(qū)動信號的傳輸延遲匹配精度達10 ns,顯著縮短所需死區(qū)時間,提升系統(tǒng)效率。

此外,器件內(nèi)置自舉二極管,省去外部二極管,簡化上橋臂供電設(shè)計,降低BOM成本。獨立的電源與接地引腳(含專用開爾文源極連接)便于實現(xiàn)精準(zhǔn)的電流檢測與低噪聲柵極驅(qū)動布局,特別適合高di/dt應(yīng)用場景。

應(yīng)用定位差異化

STDRIVEG210 聚焦高效率功率變換,適用于服務(wù)器電源、USB-C PD適配器、太陽能微型逆變器、LED驅(qū)動等。其300 ns超快啟動時間在突發(fā)模式(Burst Mode)下優(yōu)勢顯著,可快速響應(yīng)負載變化,減少喚醒延遲帶來的效率損失。

STDRIVEG211 則面向電機驅(qū)動與音頻放大場景(如電動工具、e-bike、泵、伺服系統(tǒng)及D類功放),額外集成過流檢測與智能關(guān)斷功能。當(dāng)檢測到異常電流時,可主動關(guān)閉輸出,防止器件損壞。同時,其上橋臂具備獨立UVLO保護,避免高壓側(cè)因供電不足導(dǎo)致的誤導(dǎo)通。

魯棒性與系統(tǒng)級優(yōu)化

兩款器件均具備:

±200 V/ns 的dV/dt抗擾度,有效抑制GaN快速開關(guān)引發(fā)的共模噪聲耦合;

輸入引腳支持高達20 V耐壓,簡化與3.3 V/5 V/15 V控制器的接口設(shè)計;

欠壓鎖定(UVLO) 防止低電壓下低效或危險運行;

過熱保護 提升長期可靠性;

待機(Standby)引腳 支持低功耗模式管理,便于系統(tǒng)級電源控制。

STDRIVEG210與STDRIVEG211引腳圖

1、STDRIVEG210引腳圖

STDRIVEG210引腳圖

1、STDRIVEG211引腳圖

STDRIVEG211引腳圖

STDRIVEG210與STDRIVEG211原理圖

STDRIVEG210與STDRIVEG211原理圖

STDRIVEG210與STDRIVEG211訂購料號

TDRIVEG211Q

STDRIVEG211QTR

STDRIVEG210Q

STDRIVEG210QTR

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