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ROHM推出750V TOLL封裝SiC MOSFET,助力高功率密度設(shè)計

來源:ROHM| 發(fā)布日期:2025-11-01 16:00:02 瀏覽量:

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布,其TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列已進入量產(chǎn)階段。這款新型器件不僅在體積和厚度上顯著縮小,還提升了散熱性能,使其成為服務(wù)器電源、儲能系統(tǒng)(ESS)及超薄電源等高功率密度應(yīng)用的理想選擇。

高效散熱與緊湊設(shè)計兼得

ROHM的SCT40xxDLL系列產(chǎn)品通過采用TOLL封裝,在保持高性能的同時實現(xiàn)了顯著的小型化。與傳統(tǒng)的TO-263-7L封裝相比,新產(chǎn)品的器件面積減少了約26%,厚度更是從4.5 mm減至僅2.3 mm。盡管體型更小更薄,但其散熱性能卻提升了約39%,這使得該系列產(chǎn)品能夠在緊湊的空間內(nèi)支持更高的功率輸出。

值得一提的是,雖然許多TOLL封裝的同類產(chǎn)品通常提供650V的漏源額定電壓,但ROHM的新品將這一數(shù)值提升至750V。這意味著即使在考慮浪涌電壓的情況下,也能有效抑制柵極電阻,從而有助于降低開關(guān)損耗,進一步提升系統(tǒng)效率。

ROHM推出750V TOLL封裝SiC MOSFET

應(yīng)對市場需求的創(chuàng)新解決方案

隨著AI服務(wù)器、小型光伏逆變器等應(yīng)用場景對功率密度要求的不斷提高,市場對于既能提高功率密度又滿足小型化需求的功率MOSFET呼聲日益高漲。特別是對于被稱為“卡片式”的超薄電源,其圖騰柱PFC電路的設(shè)計必須符合厚度不超過4 mm的苛刻標準。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn),ROHM開發(fā)了這款厚度僅為2.3 mm的TOLL封裝SiC MOSFET,遠低于傳統(tǒng)封裝產(chǎn)品的4.5 mm厚度。

豐富的產(chǎn)品陣容與廣泛應(yīng)用

ROHM此次推出的SCT40xxDLL系列包括以下六款型號:

SCT4013DLL

SCT4020DLL

SCT4026DLL

SCT4036DLL

SCT4045DLL

SCT4065DLL

如需以上產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求,請加客服微信:13310830171。

每款產(chǎn)品均具備不同的導(dǎo)通電阻值,以適應(yīng)多樣化的應(yīng)用場景。例如:

工業(yè)設(shè)備:適用于AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變器以及儲能系統(tǒng)(ESS)。這些領(lǐng)域?qū)Ω咝堋⒏呖煽啃院途o湊設(shè)計有著嚴格要求。

消費電子:可用于各類一般電源,尤其是那些需要兼顧性能與空間限制的應(yīng)用場景。

技術(shù)優(yōu)勢與實際應(yīng)用

除了上述提到的尺寸和散熱方面的改進,SCT40xxDLL系列還具有以下技術(shù)亮點:

低導(dǎo)通電阻:有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體轉(zhuǎn)換效率。

快速開關(guān)特性:得益于SiC材料的優(yōu)越性能,能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗。

高可靠性:通過嚴格的測試驗證,確保在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運行。

在具體應(yīng)用中,如數(shù)據(jù)中心的電源管理系統(tǒng),SCT40xxDLL系列可以有效提升系統(tǒng)的功率密度,同時減少散熱設(shè)計的復(fù)雜性。而在光伏逆變器和ESS系統(tǒng)中,其高效的能量轉(zhuǎn)換能力和緊湊的設(shè)計則有助于節(jié)省安裝空間,提高系統(tǒng)的整體性能。

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