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N溝MOS管接電源正負(fù)極連接指南
發(fā)布時(shí)間：2024-06-27
N溝MOS管（N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制和放大電流。在應(yīng)用中，正確連接電源正負(fù)極至N溝MOS管是至關(guān)重要的。MOS管供應(yīng)商-中芯巨能將介紹N溝MOS管如何接電源正負(fù)極，以確保器件...
IAR與矽力杰共同助力中國汽車行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展
發(fā)布時(shí)間：2024-06-27
2024年6月26日，中國上海——全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)軟件解決方案供應(yīng)商IAR與矽力杰半導(dǎo)體宣布，最新版本IAR Embedded Workbench for Arm 全面支持矽力杰SA32BXX車規(guī)ASIL-B MCU，助力中國汽車行業(yè)開發(fā)者的創(chuàng)新研發(fā)。作為模擬和數(shù)字半導(dǎo)體領(lǐng)先...
MOS場效應(yīng)管在可變電阻區(qū),漏源電阻RDS受誰控制
發(fā)布時(shí)間：2024-06-27
在MOS場效應(yīng)管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的工作中，一個(gè)重要參數(shù)是漏源電阻（RDS）。特別是在MOS管處于可變電阻區(qū)時(shí)，RDS的大小對其性能和特性起著關(guān)鍵作用。那么在可變電阻區(qū)，MOS場效應(yīng)管的漏源電阻受誰控制呢？這是一個(gè)值...
探究MOS管和BJT內(nèi)部的極間電容
發(fā)布時(shí)間：2024-06-27
當(dāng)談及半導(dǎo)體器件中的極間電容時(shí)，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）和BJT（Bipolar Junction Transistor）是兩種常見且重要的器件類型。這些器件內(nèi)部包含不同類型的極間電容，影響著其性能和特性。MOS管供應(yīng)商-中芯巨能將...
探究半導(dǎo)體的oVL測量技術(shù)
發(fā)布時(shí)間：2024-06-26
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體材料在電子行業(yè)中扮演著越來越重要的角色。為了確保半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)質(zhì)量和性能，常常需要對其進(jìn)行精密的測量和分析。其中，oVL（overlay）測量技術(shù)作為一項(xiàng)重要的半導(dǎo)體測量技術(shù)，在半導(dǎo)體生產(chǎn)領(lǐng)域中發(fā)揮著關(guān)鍵的作用...
二極管伏安特性曲線在何種條件下可以線性應(yīng)用？
發(fā)布時(shí)間：2024-06-26
二極管是最常用的半導(dǎo)體器件之一，廣泛應(yīng)用于電子電路中。它具有非線性的伏安特性曲線，即電壓和電流之間的關(guān)系并非簡單的線性關(guān)系。然而，在某些特定條件下，二極管的伏安特性曲線可以被近似地看作是線性的，從而可以線性應(yīng)用。本文將探討二極管伏...
愛普生IMU產(chǎn)品助力激光雷達(dá)測繪領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新
發(fā)布時(shí)間：2024-06-26
在雷達(dá)技術(shù)快速發(fā)展的今天，激光雷達(dá)測繪技術(shù)成為備受關(guān)注的領(lǐng)域。該技術(shù)融合了激光測距系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)（GPS）和慣性導(dǎo)航系統(tǒng)三種技術(shù)，其中激光雷達(dá)采用激光掃描反射物體，并結(jié)合慣性測量單元（IMU）精確測量出激光雷達(dá)自身姿態(tài)數(shù)據(jù)，從而實(shí)時(shí)獲取高...
逆變電路中三極管接電容的作用及選取方法
發(fā)布時(shí)間：2024-06-26
逆變電路是一種廣泛應(yīng)用于電源供應(yīng)和變頻調(diào)速系統(tǒng)中的重要電路。在逆變電路中，三極管扮演著關(guān)鍵的角色，常常需要連接電容器以實(shí)現(xiàn)特定功能。本文將介紹逆變電路中三極管接電容的作用以及選取方法。首先，讓我們來了解一下逆變電路中三極管接電...
長春理工大學(xué)與武漢芯源半導(dǎo)體共建CW32嵌入式創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室
發(fā)布時(shí)間：2024-06-26
2024年6月20日上午，長春理工大學(xué)與武漢芯源半導(dǎo)體攜手舉辦了“CW32嵌入式創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室”揭牌儀式，為兩方合作開啟了嶄新的篇章。揭幕儀式現(xiàn)場熱鬧非凡，學(xué)術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界、學(xué)生代表齊聚一堂，共同見證了這一重要時(shí)刻。長春理工大學(xué)電子信息工程學(xué)院...
2024慕尼黑上海電子展：STM32前沿解決方案將精彩亮相
發(fā)布時(shí)間：2024-06-26
2024年7月8-10日，在上海新國際博覽中心舉辦的慕尼黑上海電子展（electronica China）即將啟幕。本次展會將成為技術(shù)專家、企業(yè)和參觀者們探索前沿解決方案的盛會。ST公司將攜智能工業(yè)和個(gè)人電子產(chǎn)品領(lǐng)域的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案亮相，并將呈現(xiàn)三場精...
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