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英飛凌CoolMOS? 8：硅基MOSFET在寬禁帶時(shí)代的新突破
發(fā)布時(shí)間：2025-11-03
盡管碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件在高頻、高壓應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，硅基MOSFET并未退出歷史舞臺(tái)。相反，憑借持續(xù)的技術(shù)演進(jìn)，其在成本、通用性和系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化方面仍具不可替代性。英飛凌最新推出的CoolMOS? 8系列，正是硅基超結(jié)MOSFET在SiC/GaN時(shí)代...
Diodes推車規(guī)級(jí)10Gbps重定時(shí)器：PI2DPT1021Q，支持USB3.2與DP 1.4
發(fā)布時(shí)間：2025-11-03
在智能座艙與車載高速互連需求激增的背景下，Diodes 公司（Nasdaq: DIOD）近日推出符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的全新比特級(jí)重定時(shí)器 PI2DPT1021Q，專為汽車信息娛樂、數(shù)字儀表盤、后排娛樂系統(tǒng)及USB Type-C有源線纜等應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該器件支持 USB 3.2 Gen2...
聯(lián)想與英飛凌攜手推進(jìn)智能駕駛技術(shù)革新
發(fā)布時(shí)間：2025-11-02
隨著汽車智能化和電氣化趨勢(shì)的加速，半導(dǎo)體解決方案在推動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型中扮演著愈發(fā)關(guān)鍵的角色。面對(duì)日益復(fù)雜的車載應(yīng)用場(chǎng)景，市場(chǎng)對(duì)車規(guī)級(jí)MCU提出了更高的要求，包括先進(jìn)的運(yùn)算能力、更大的存儲(chǔ)容量、更高的集成度和更嚴(yán)格的安全等級(jí)。自2023...
意法半導(dǎo)體高速比較器：提升電路性能與可靠性
發(fā)布時(shí)間：2025-11-02
在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，響應(yīng)時(shí)間慢和信號(hào)處理不準(zhǔn)確是工程師們常常面臨的挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的TS3021、TS3022、TS3121和TS3011系列高速比較器，憑借其超快的響應(yīng)時(shí)間、低功耗和高精度，成為解決這些問題的理想選擇。意法半導(dǎo)體...
思瑞浦TPT1462xQ：通過三大國際認(rèn)證的高性能CAN SIC收發(fā)器
發(fā)布時(shí)間：2025-11-02
隨著汽車電子系統(tǒng)智能化升級(jí)，CAN總線作為車輛內(nèi)部關(guān)鍵通信鏈路，正面臨高速通信、復(fù)雜拓?fù)渑c強(qiáng)電磁干擾三重挑戰(zhàn)。信號(hào)失真、數(shù)據(jù)丟幀等問題已成為制約車載系統(tǒng)可靠性的核心瓶頸。在此背景下，思瑞浦（3PEAK）推出的全國產(chǎn)供應(yīng)鏈TPT1462xQ CAN SIC...
STDRIVEG210/211：面向GaN應(yīng)用的高集成半橋驅(qū)動(dòng)器 附引腳圖及原理圖
發(fā)布時(shí)間：2025-11-02
STDRIVEG210與STDRIVEG211是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）專為氮化鎵（GaN）功率器件優(yōu)化的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于母線電壓高達(dá)220 V的工業(yè)、電信及高電壓電池系統(tǒng)（如72 V電池組或110 V AC整流后系統(tǒng)）。兩款器件在架構(gòu)上高度集成，兼具高速開關(guān)能力...
恩智浦i.MX RT700賦能智能手表：高性能與超低功耗兼得
發(fā)布時(shí)間：2025-11-02
在用戶對(duì)智能手表功能日益豐富、續(xù)航要求持續(xù)提升的雙重壓力下，傳統(tǒng)可穿戴平臺(tái)正面臨性能與能效難以兼顧的瓶頸。恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）推出的i.MX RT700跨界MCU，正以“高性能+超低功耗”的獨(dú)特組合，為下一代智能手表、消費(fèi)級(jí)醫(yī)療設(shè)...
恩智浦推i.MX 952處理器：AI驅(qū)動(dòng)座艙感知與工業(yè)智能新標(biāo)桿
發(fā)布時(shí)間：2025-11-01
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日發(fā)布i.MX 9系列最新成員——i.MX 952應(yīng)用處理器，專為下一代智能座艙與工業(yè)邊緣AI應(yīng)用打造。該芯片集成高性能eIQ Neutron神經(jīng)處理單元（NPU），通過多傳感器融合技術(shù)，實(shí)現(xiàn)駕駛員狀態(tài)監(jiān)測(cè)、兒童遺留檢測(cè)等關(guān)鍵座...
ROHM推出750V TOLL封裝SiC MOSFET，助力高功率密度設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間：2025-11-01
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列已進(jìn)入量產(chǎn)階段。這款新型器件不僅在體積和厚度上顯著縮小，還提升了散熱性能，使其成為服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）及超薄電源等高功率密度應(yīng)用的理想選...
思瑞浦高性能柵極驅(qū)動(dòng)器方案：兼顧隔離、效率與可靠性
發(fā)布時(shí)間：2025-11-01
在光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器（PCS）及MPPT升壓等高功率密度應(yīng)用中，柵極驅(qū)動(dòng)器作為功率鏈路的“最后一環(huán)”，其性能直接決定系統(tǒng)效率、開關(guān)損耗與運(yùn)行安全。針對(duì)不同拓?fù)鋵?duì)驅(qū)動(dòng)能力、隔離等級(jí)與抗干擾能力的需求，思瑞浦（3PEAK）推出系列隔離與非隔離型柵...
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