NCV51752是安森美（onsemi）一款高性能、汽車級單通道隔離柵極驅(qū)動器，專為驅(qū)動硅基MOSFET和碳化硅（SiC）MOSFET功率開關(guān)而設(shè)計。該器件具備4.5 A峰值拉電流和9 A峰值灌電流輸出能力，支持高速開關(guān)操作，適用于xEV（電動汽車）及工業(yè)電源系統(tǒng)中對效率、可靠性和抗干擾能力要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場景。來自全球授權(quán)的安森美代理商、原廠貨源-深圳市中芯巨能電子有限公司為您提供NCV51752技術(shù)參數(shù)、引腳圖、典型應(yīng)用電路圖及訂購料號。

NCV51752技術(shù)參數(shù)

核心性能參數(shù)

NCV51752提供典型36 ns的傳播延遲，通道內(nèi)最大延遲匹配僅為5 ns，確保精確的時序控制，有助于減少死區(qū)時間并提升系統(tǒng)效率。其輸入電壓范圍為3 V至20 V，兼容TTL/CMOS邏輯電平，可直接與MCU、DSP或PWM控制器連接。輸出側(cè)供電范圍寬，支持6.5 V至20 V工作電壓，并配備可選UVLO閾值：6 V / 8 V（適用于MOSFET），12 V / 17 V（針對SiC MOSFET優(yōu)化），實現(xiàn)安全可靠的柵極驅(qū)動控制。

集成負(fù)偏置輸出功能

NCV51752的關(guān)鍵特性之一是內(nèi)置負(fù)偏置發(fā)生電路，可生成-2 V、-3 V、-4 V或-5 V的負(fù)柵極關(guān)斷電壓。這一功能對于提高系統(tǒng)可靠性至關(guān)重要：

增強(qiáng)抗dv/dt干擾能力：在高開關(guān)速度下，功率回路中的寄生電感易引發(fā)Miller效應(yīng)，導(dǎo)致誤導(dǎo)通。施加負(fù)關(guān)斷電壓可有效抑制此類誤觸發(fā)。

加快關(guān)斷速度：負(fù)壓加速電荷抽取，縮短關(guān)斷時間，降低關(guān)斷損耗，尤其適合高頻硬開關(guān)拓?fù)洹?/p>

提升SiC MOSFET運行穩(wěn)定性：SiC器件閾值電壓較低（通常2.5~4 V），使用負(fù)壓關(guān)斷可確保充分截止，避免噪聲引起的非預(yù)期導(dǎo)通。

該集成方案無需外加負(fù)壓電源或復(fù)雜電荷泵電路，簡化了電源設(shè)計，節(jié)省PCB面積，提高了系統(tǒng)整體可靠性。

隔離與抗擾性能

器件采用4 mm爬電距離的SOIC-8封裝，符合UL1577標(biāo)準(zhǔn)，提供高達(dá)3.75 kVRMS（1分鐘）的輸入-輸出隔離耐壓，滿足基本隔離和功能隔離要求。共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）高達(dá)200 V/ns，確保在高dv/dt噪聲環(huán)境下信號傳輸穩(wěn)定，防止因地電位波動導(dǎo)致誤動作。

此外，NCV51752集成了獨立的初級與次級側(cè)欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)，分別監(jiān)控輸入邏輯電源和輸出驅(qū)動電源狀態(tài)。任一側(cè)供電異常時均可自動關(guān)斷輸出，防止功率器件在非飽和區(qū)工作，避免過熱損壞。

NCV51752引腳圖

NCV51752典型電路圖

NCV51752典型應(yīng)用場景

NCV51752廣泛應(yīng)用于新能源汽車核心電力電子系統(tǒng)：

車載充電機(jī)（OBC）：用于PFC級或DC-DC級的SiC MOSFET驅(qū)動；

xEV DC-DC轉(zhuǎn)換器：在高壓轉(zhuǎn)低壓（HV-LV）系統(tǒng)中實現(xiàn)高效隔離驅(qū)動；

牽引逆變器：驅(qū)動電機(jī)相橋臂開關(guān)，支持高功率密度設(shè)計；

直流充電樁：作為主功率級開關(guān)的驅(qū)動單元。

同時，該器件也適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、UPS、光伏逆變器等需要高CMTI和負(fù)壓關(guān)斷能力的隔離驅(qū)動場合。

NCV51752可選型號

NCV51752CBDR2G

NCV51752CDDR2G

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