在低碳化轉型的進程中，轉向可再生能源成為核心議題，而提升能源轉換效率則是其中的關鍵挑戰(zhàn)。碳化硅（SiC）作為一種功率半導體技術，正致力于解決這一難題，在能效和設計創(chuàng)新方面取得了顯著進展。

英飛凌科技的獨特優(yōu)勢

英飛凌科技副總裁、工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)市場負責人沈璐指出，公司在碳化硅技術領域不僅擁有獨特的技術優(yōu)勢，還通過創(chuàng)新商業(yè)模式努力成為客戶首選的零碳技術創(chuàng)新伙伴。針對市場上關于碳化硅技術可靠性和性能評價原則的常見誤區(qū)，沈璐進行了詳細的澄清和解釋。

英飛凌科技副總裁、

工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)市場負責人 沈璐

溝槽柵技術的優(yōu)勢

對于碳化硅技術中溝槽柵和平面柵架構的可靠性之爭，沈璐形象地將溝槽柵比喻為“下挖一個隧道”，避開了不平整的碳化硅柵極氧化層界面，并通過更厚的氧化層和更高的篩選電壓來減少柵極氧化層缺陷，確保了器件的高可靠性。英飛凌早在十年前就率先推廣溝槽柵技術，如今該技術路線已成為業(yè)界標準，證明了其卓越的性能和可靠性。

多元化性能評價體系

在性能評估方面，沈璐提倡采用多元化的綜合考量體系，而非單一依賴“單位面積導通電阻(Rsp)”指標。實際應用中，如光伏、儲能、充電樁等領域的高頻開關操作帶來的開關損耗越來越接近甚至超過導通損耗，同時隨著溫度升高，溝槽柵導通電阻的高溫漂移特性也需要被考慮。因此，英飛凌提供的詳盡設計參數(shù)能夠幫助工程師充分利用器件性能，優(yōu)化包括開關損耗、導通損耗、封裝熱阻/雜感、魯棒性及可靠性在內的多個方面，從而實現(xiàn)更高效能的設計。

持續(xù)布局與創(chuàng)新

英飛凌的碳化硅業(yè)務策略聚焦于三個主要方向：

持續(xù)推進技術迭代和產線升級，確保產品和技術始終保持行業(yè)前沿。

不斷創(chuàng)新，樹立標桿，例如推出全球首款2kV碳化硅分立器件、3.3kV高功率模塊以及CoolSiC? MOSFET G2等創(chuàng)新產品，以滿足不同應用場景的需求。

深耕市場，駕馭周期，堅持長期戰(zhàn)略定力，專注于做對的事，保持全面的產品組合，助力各行業(yè)客戶應對周期性挑戰(zhàn)。

綜上所述，英飛凌通過其領先的碳化硅技術和持續(xù)的創(chuàng)新實踐，正在引領低碳化轉型的新潮流，為能效提升和設計創(chuàng)新注入強大動力

注：我司代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件，如需產品規(guī)格書、樣片測試、采購等需求，請加客服微信：13310830171。