英飛凌科技高級(jí)技術(shù)總監(jiān)、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)負(fù)責(zé)人陳立烽深入解析了英飛凌CoolSiC?碳化硅技術(shù)的發(fā)展路徑及其最新一代CoolSiC? MOSFET G2產(chǎn)品的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。他強(qiáng)調(diào)，評(píng)價(jià)一項(xiàng)技術(shù)或產(chǎn)品時(shí)，除了關(guān)注基本的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性外，還需綜合考量其可靠性、穩(wěn)定性和易用性。

英飛凌科技高級(jí)技術(shù)總監(jiān)、

工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)負(fù)責(zé)人 陳立烽

全面評(píng)估碳化硅器件性能

在衡量碳化硅器件性能時(shí)，陳立烽指出，需要全面考慮多個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)，如柵極氧化層的可靠性、體二極管的魯棒性、驅(qū)動(dòng)電壓延展性以及抗短路能力。溝槽柵技術(shù)作為提升碳化硅器件性能和可靠性的核心技術(shù)之一，英飛凌CoolSiC? MOSFET采用了非對(duì)稱溝槽柵結(jié)構(gòu)，通過(guò)垂直溝道設(shè)計(jì)降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，并增強(qiáng)柵極氧化層的可靠性。

從設(shè)計(jì)到封裝的全方位推進(jìn)

英飛凌不僅在器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上下功夫，還利用.XT封裝技術(shù)和冷切割工藝來(lái)全面提升產(chǎn)品性能。.XT封裝技術(shù)有效降低了瞬態(tài)熱阻，提高了芯片性能和壽命；而冷切割技術(shù)則提升了晶圓生產(chǎn)效率，確保供應(yīng)安全。這些努力使得新一代CoolSiC? MOSFET G2產(chǎn)品在保持高質(zhì)量和高可靠性的同時(shí)，將主要性能指標(biāo)優(yōu)化了20%，快速開(kāi)關(guān)能力提高了30%以上。

CoolSiC? MOSFET G2的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

CoolSiC? MOSFET G2的最大工作結(jié)溫提升至200攝氏度，為客戶提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性。這使得采用該器件的電動(dòng)汽車直流快速充電站能夠減少10%的功率損耗，同時(shí)在不影響外形尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)更高的充電功率。基于CoolSiC? MOSFET G2的牽引逆變器可以增加電動(dòng)汽車的續(xù)航里程；而在可再生能源領(lǐng)域，太陽(yáng)能逆變器可以在保持高功率輸出的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小的尺寸，從而降低成本。

綜上所述，英飛凌通過(guò)持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和全方位的產(chǎn)品優(yōu)化，正引領(lǐng)著碳化硅技術(shù)的發(fā)展方向，為光伏、儲(chǔ)能、直流電動(dòng)汽車充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電源等領(lǐng)域的客戶帶來(lái)顯著的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。